2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 61 Features: Besondere Merkmale: Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich von 1100 nm 400 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 20 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) Hermetically sealed metal package (similar to Hermetisch dichte Metallbauform (hnlich TO-5) TO-5) Applications Anwendungen Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Photointerrupters Lichtschranken IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh- und recorders, dimmers, remote controls of various Rundfunkgerten, Videorecordern, Lichtdimmern, equipment Gertefernsteuerungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V v R I A P BPX 61 70 ( 50) Q62705P0025 2014-01-10 1Version 1.1 BPX 61 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 125 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 32 V R Sperrspannung Total power dissipation P 250 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity S70 ( 50) nA/Ix Fotoempfindlichkeit (V = 5 V) R Photocurrent I 70 ( 50) A P Fotostrom (E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V) v R Wavelength of max. sensitivity 850 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 400 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A7.02 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.65 x 2.65 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 55 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.62 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 850 nm) 2014-01-10 2