2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 65 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S ) 350 nm to 1100 nm Wellenlngenbereich (S ) 350nm bis 1100nm 10% 10% Short switching time (typ. 12 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 12 ns) Hermetically sealed metal can package (TO-18), Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), suitable up to 125 C geeignet bis 125 C Applications Anwendungen Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln High speed photo detector Schneller optischer Empfnger Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V v R I A P BPX 65 10 ( 5.5) Q62702P0027 2014-01-10 1Version 1.1 BPX 65 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 125 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 20 V R Sperrspannung Reverse voltage V 50 V R Sperrspannung (t < 2 min) Total power dissipation P 250 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity S10 ( 5.5) nA/Ix Fotoempfindlichkeit (V = 5 V) R Photocurrent I 10 ( 5.5) A P Fotostrom (E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V) v R Wavelength of max. sensitivity 850 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 350 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A1.00 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 1 x 1 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 40 Halbwinkel Dark current I 1 ( 5) nA R Dunkelstrom (V = 20 V) R 2014-01-10 2