IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features 3 GaAs-LED in 5mm radial-Gehuse GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 / ) 4 Typische Peakwellenlnge 950nm Typical peak wavelength 950nm Hohe Zuverlssigkeit High reliability Mit verschiedenen Beinchenlngen lieferbar Available with two different lead lengths Variante mit stand-off lieferbar Version with stand-off available TTW Lten geeignet Suitable for TTW soldering Anwendungen Applications IR-Fernsteuerung von Fernseh- und IR remote control of hi-fi and TV-sets, video Rundfunkgerten, Videorecordern, tape recorders, dimmers Lichtdimmern Remote control for steady and varying intensity Gertefernsteuerungen fr Gleich- und Sensor technology Wechsellichtbetrieb Discrete interrupters Sensorik Diskrete Lichtschranken 1) Typ Bestellnummer Strahlstrkegruppierung (I = 100mA, t = 20 ms) F p 1) Type Ordering Code Radiant intensity grouping I (mW/sr) e LD 271 Q62703Q0148 15 (>10) LD 271 L Q62703Q0833 LD 271 H Q62703Q0256 >16 LD 271 LH Q62703Q0838 1) gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr measured at a solid angle of = 0.01 sr 2007-04-04 1LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Betriebs- und Lagertemperatur T T 40 + 100 C op stg Operating and storage temperature range Sperrspannung V 5 V R Reverse voltage Durchlastrom I 130 mA F Forward current Stostrom, t = 10 s, D = 0 I 3.5 A p FSM Surge current Verlustleistung P 220 mW tot Power dissipation Wrmewiderstand R 330 K/W thJA Thermal resistance Kennwerte (T = 25 C) A Characteristics Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Wellenlnge der Strahlung 950 nm peak Wavelength at peak emission I = 100 mA, t = 20 ms F p Spektrale Bandbreite bei 50% von I 55 nm max Spectral bandwidth at 50% of I max I = 100 mA F Abstrahlwinkel 25 Grad Half angle deg. 2 Aktive Chipflche 0.25 mm A Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflche L B 0.5 0.5 mm Dimensions of the active chip area L W Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel 4.0 4.6 mm H Distance chip front to lens top Schaltzeiten, I von 10% auf 90% und von 90% t , t 1 s e r f auf 10%, bei I = 100 mA, R = 50 F L Switching times, I from 10% to 90% and from e 90% to 10%, I = 100 mA, R = 50 F L 2007-04-04 2