2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 450 ... 1100 nm Package: Sidelooker, Epoxy Gehuse: Sidelooker, Harz Special: High photosensitivity Besonderheit: Hohe Fotoempfindlichkeit Same package as IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A Gehusegleich mit IR Emitter IRL 80 A, IRL 81 A Applications Anwendungen A variety of manufacturing and monitoring Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 0.5 mW/cm , V = 5 V e CE I A PCE LPT 80A 250 Q68000A7852 2014-01-14 1Version 1.1 LPT 80 A Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 30 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I 50 mA C Kollektorstrom Collector surge current I 100 mA CS Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) Emitter-collector voltage V 7V EC Emitter-Kollektor-Spannung Total power dissipation P 100 mW tot Verlustleistung Thermal resistance R 750 K / W thJA Wrmewiderstand Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity 880 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 450 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A0.11 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of chip area L x W 0.55 x 0.55 mm x Abmessung der Chipflche mm Half angle 35 Halbwinkel Capacitance C 7.5 pF CE Kapazitt (V = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CE 2014-01-14 2