Q65111A3188 OSRAM

2015-01-28 Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250 Features: Besondere Merkmale: Available on tape and reel Gegurtet lieferbar SMT package with IR emitter (850 nm) and SMT Gehuse mit IR-Sender (850 nm) and Si-phototransistor Si-Fototransistor Suitable for SMT assembly Geeignet fr SMT-Bestckung Emitter und detector can be controlled separately Sender und Empfnger getrennt ansteuerbar Applications Anwendungen Data transmission Datenbertragung Lock bar Wegfahrsperre Infrared interface Infrarotschnittstelle Ordering Information Bestellinformation Type: Package: Ordering Code Typ: Gehuse: Bestellnummer SFH 7250 SMT Multi TOPLED Q65111A3188 2015-01-28 1Version 1.1 SFH 7250 Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T (max) 100 C j Sperrschichttemperatur IRED Forward current I 70 mA F Durchlassstrom Surge current I 0.7 A FSM Stostrom (t 10 s, D = 0) p Reverse voltage V 5 V R Sperrspannung Total power dissipation P 140 mW tot Verlustleistung 1) page 15 Thermal resistance junction - ambient R 500 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 15 Thermal resistance junction - solder point R 400 K / W thJS Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltpad ESD withstand voltage V 2 kV ESD ESD Festigkeit Phototransistor Fototransistor Collector current I 15 mA C Kollektorstrom Surge current I 0.075 A FSM Stostrom (t 10 s, D = 0) p Collector-emitter voltage V 35 V CE Kollektor-Emitter-Spannung 2015-01-28 2