2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor with V Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V -Charakteristik Version 1.1 SFH 3310 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 350 ... 970 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 350 ... 970 nm Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy Gehuse: 3mm Radial (T 1), Harz Special: Adapted to human eye sensitivity (V) Besonderheit: Angepasst an die Augenempfindlichkeit (V ) Applications Anwendungen For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Ambient light detector Umgebungslichtsensor Exposure meter for daylight and artificial light Beleuchtungssensor Sensor for backlight-dimming Dimmungssensor fr Hintergrundbeleuchtung Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 560 nm, E = 10 W/cm , V = 5 V e CE I A PCE SFH 3310 2.5 ... 8 Q65110A5343 2014-01-14 1Version 1.1 SFH 3310 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 5.5 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I 20 mA C Kollektorstrom Emitter-collector voltage V 0.5 V EC Emitter-Kollektor-Spannung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity 570 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 350 ... 970 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A0.29 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of chip area L x W 0.75 x 0.75 mm x Abmessung der Chipflche mm Half angle 75 Halbwinkel Capacitance C 16 pF CE Kapazitt (V = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CE Dark current I 3 ( 50) nA CE0 Dunkelstrom (V = 5 V, E = 0) CE 2014-01-14 2