2014-01-08 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN-2013-003-A1 SFH 4232A Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle mit hohem Wirkunsgrad Low thermal resistance (Max. 10 K/W) Niedriger Wrmewiderstand (Max. 10 K/W) Centroid wavelength 850 nm Schwerpunktwellenlnge 850 nm ESD safe up to 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC ESD sicher bis 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 Class 2 JS-001-2011 Klasse 2 Superior Corrosion Robustness (see chapter Erweiterte Korrosionsfestigkeit (s.a. Abschnitt package outlines) Mazeichnung) Package: SMT package Gehuse: SMT-Bauform Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung fr Kameras Surveillance systems berwachungssysteme Maschine vision systems Beleuchtung fr Bilderkennungssysteme Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-01-08 1Version 1.4 acc. to OS-PCN-2013-003-A1 SFH 4232A Ordering Information Bestellinformation Type: Total Radiant Flux Ordering Code Typ: Gesamtstrahlungsfluss Bestellnummer I = 1 A, t = 10 ms F p mW e SFH 4232A >400 (typ. 650) Q65111A3235 Note: Measured with integrating sphere. Anm.: Gemessen mit Ulbrichtkugel. Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T 125 C j Sperrschichttemperatur Reverse voltage V 1V R Sperrspannung Forward current I 1000 mA F Durchlassstrom Surge current I 2A FSM Stostrom (t 1.5 ms, D = 0) p Power consumption P 2100 mW tot Leistungsaufnahme Thermal resistance junction - solder point R 10 K / W thJS Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltpad ESD withstand voltage V 2kV ESD ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) Note: For the forward current and power consumption please seemaximum permissible forward curren diagram Anm.: Fr den Vorwrtsgleichstrom und die Leistungsaufnahme siehe auch dasmaximal zulssige Durchlassstro Diagramm 2014-01-08 2