ES1D

W E E E S H ES1A ... ES1J ES1A ... ES1J I = 1 A V = 50...600 V FAV RRM V < 0.92...1.7 V I = 30/33 A F FSM Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes Tjmax = 150C trr < 15...35 ns Superschnelle SMD-Gleichrichter fr hohen Wirkungsgrad Version 2020-01-27 Typical Applications Typische Anwendungen SMA Rectification of higher frequencies Gleichrichtung hoher Frequenzen ~ DO-214AC High efficient switching stages Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Commercial grade Standardausfhrung 1 1 0.2 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 5 1 1 Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified ) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert ) Features Besonderheiten Extremely low reverse recovery time Extrem niedrige Sperrverzugszeit Low forward voltage drop Niedrige Fluss-Spannung 0.3 + 0.1 1.1 0.15 Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) Type 1 1 Typ Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 7500 / 13 Gegurtet auf Rolle 0.3 4.5 Weight approx. 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type DC blocking voltage Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage Typ Sperrgleichspannung Periodische Spitzensperrspannung Stospitzensperrspannung 3 V V ) V V V V DC RRM RSM ES1A 50 50 ES1B/-Q 100 100 ES1C 150 150 ES1D/-Q 200 200 ES1F 300 300 ES1G 400 400 ES1J/-AQ 480 600 600 Average forward current T = 100C I 1 A T FAV Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current f > 15 Hz T = 100C I 6 A T FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Half sine-wave 50 Hz (10 ms) 30 A IFSM Stostrom in Fluss-Richtung Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) 33 A Rating for fusing 2 2 t < 10 ms i t 4.5 A s Grenzlastintegral Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur TS -50...+150C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C unless otherwise specified TA = 25C wenn nicht anders angegeben 3 Defined for -AQ parts only Nur definiert fr -AQ Bauteile Diotec Semiconductor AG ES1A ... ES1J Characteristics Kennwerte Type Reverse recovery time Forward voltage Typ Sperrverzugszeit Durchlass-Spannung 1 T = 25C t ns ) V V at / bei I A j rr F F ES1A, ES1B/-Q...ES1D/-Q < 15 < 0.92 1 ES1F...ES1G < 25 < 1.3 1 ES1J/-AQ < 35 < 1.7 1 Leakage current T = 25C < 5 A j V = V I R RRM R Sperrstrom T = 100C < 100 A j 2 Typ. thermal resistance junction to ambient Typ. Wrmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA 70 K/W ) Typ. thermal resistance junction to terminal Typ. Wrmewiderstand Sperrschicht-Anschluss R 30 K/W thT 10 120 % A ES1A...D 100 1 ES1F...G 80 ES1J 60 0.1 40 -2 10 20 I F I FAV T = 25C j -3 10 0 0 T 100 150 V V 50 C F A 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 T = 125C j T = 25C j f = 1.0 MHz A pF T = 85C j 1 T = 25C j -1 10 -2 10 C j I R -3 10 V V V % 0 RRM 40 60 100 R Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Sperrschichtkapazitt in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) . Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 I = 0.5 A through/ber I = 1 A to/auf I = 0.25 A F R R 2 2 Mounted on P.C. board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2