W E E E S H KBPC5001FP ... KBPC5012FP I = 50 A V = 100...1200 V KBPC5001FP ... KBPC5012FP FAV RRM V < 1.1 V I = 400/450 A F FSM Single Phase Diode Bridge Rectifier Tjmax = 150C trr ~ 1500 ns Einphasen-Dioden-Brckengleichrichter Version 2021-03-08 Typical Application Typische Anwendung 50/60 Hz Mains Rectification, 50/60 Hz Netzgleichrichtung, KBPC Power Supplies Stromversorgungen ~ 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) FP + Features Besonderheit Four diodes in bridge configuration Vier Dioden in Brckenschaltung UL recognized, File E175067 UL-anerkannt, Liste E175067 V up to 1200 V V bis zu 1200 V RRM RRM 2,3 2,3 FP = Fast-on terminals ) FP = Fast-on Anschlsse ) ~ Plastic case with isolated Plastikgehuse mit aluminium baseplate isoliertem Alu-Boden 1 SPICE Model & STEP File ) Compliant to RoHS (exemp. 7a) Konform zu RoHS (Ausn. 7a) 1 1 Pb REACH, Conflict Minerals ) REACH, Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Marking Packed in cardboard trays 240 Verpackt in Einlagekartons Type / Typ Weight approx. 17 g Gewicht ca. Casting compound UL 94V-0 Vergussmasse Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen HS Code 85411000 MSL N/A Further available: KBPC25 00...10 I, KBPC35 00...10 I (Single Inline) Ebenso erhltlich: KBPC10/15/25 00...16 FP WP, KBPC35 00...16 FP WP 4 4 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Max. alternating input voltage Repetitive peak reverse voltage Typ Max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung 5 6 V V ) V V ) VRMS RRM KBPC5001FP 70 100 KBPC5002FP 140 200 KBPC5004FP 280 400 KBPC5006FP 420 600 KBPC5008FP 560 800 KBPC5010FP 700 1000 KBPC5012FP 800 1200 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 For 6.3mm (1/4) Fast-on connectors alternatively, solder assembly possible Fr 6.3mm Fast-on Steckverbinder alternativ Ltmontage mglich 3 Solderable per JESD22-B102E and JESD22-B106C (260C/10s) Ltbar gem JESD22-B102E und JESD22-B106C (260C/10s) 4 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 5 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed V Evtl. berlagerte Spannungsspitzen drfen V nicht berschreiten RRM RRM 6 Valid per diode Gltig pro Diode 1 KBPC5001FP ... KBPC5012FP 1 1 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Max. rectified output current at forced cooling R-load 50 A 2 T = 50C ) I C FAV Dauergrenzstrom am Brckenausgang bei forcierter Khlung C-load 46 A 2 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz T = 50C ) I 90 A C FRM Peak forward surge current (half sine-wave) 50 Hz (10 ms) 400 A IFSM Stostrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle) 60 Hz (8.3 ms) 450 A 2 2 Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i t 800 A s Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Tj -50...+150C Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+150C S Admissible mounting torque 10-32 UNF 18 10% lb.in. Zulssiges Anzugsdrehmoment M5 2 10% Nm Characteristics Kennwerte 3 Forward voltage Durchlass-Spannung T = 25C I = 25 A V < 1.1 V ) j F F 3 Leakage current Sperrstrom T = 25C V = V I < 10 A ) j R RRM R 2 Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlsse zum Gehuse V > 2500 V ) ISO RMS Reverse recovery time I = 0.5 A through/ber F 3 t typ. 1500 ns ) rr Sperrverzug IR = 1 A to IR = 0.25 A 3 Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazitt V = 4 V C 185 pF ) R j Typical thermal resistance junction to case (per device) 2 RthC 1.2 K/W ) Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Gehuse (pro Bauteil) Dimensions Mae mm 3 120 10 % A 100 T = 125C j 2 10 80 T = 25C j 10 60 40 1 20 I F I FAV 400a-(25a-1,1v) -1 10 0 0.4 V 0.8 1.0 1.2 1.4 V 1.8 0 T 50 100 150 C A F 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 2 Case designates metal baseplate Gehuse bezeichnet die metallische Bodenplatte 3 Valid per diode Gltig pro Diode 2