2007-04-12 2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich von 1100 nm 400 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 25 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Suitable for SMT SMT-fhig Applications Anwendungen Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Edge control Kantenerkennung Path and angle scanning Weg- bzw. Winkelabtastungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V v R Diode A I A P KOM 2125 40 ( 30) (Diode A) Q65110A2703 100 ( 75) (Diode B) 2007-04-12 1Version 1.0 KOM 2125 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 80 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 60 V R Sperrspannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 40 ( 30) A P Fotostrom (E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V Diode A) v R Photocurrent I 100 ( 75) A P Fotostrom 2 (V = 5 V, = 870 nm, E = 1 mW/cm , Diode B) R e Wavelength of max. sensitivity 850 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 400 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A4.00 mm Bestrahlungsempfindliche Flche (Diode A) 2 Radiant sensitive area A 10.00 mm Bestrahlungsempfindliche Flche (Diode B) Dimensions of radiant sensitive area L x W 2 x 2 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche (Diode A) Dimensions of radiant sensitive area L x W 2 x 5 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche (Diode B) 2007-04-12 2