NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 3010 Nicht fr Neuentwicklungen / not for new designs Wesentliche Merkmale Features Sehr kleines SMT-Gehuse: Very small SMT package: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm (LxWxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich Especially suitable for applications from von 420 nm bis 1100 nm 420 nm to 1100 nm groer Empfangswinkel 80 large viewing angle 80 Nur gegurtet lieferbar Available only on tape and reel Anwendungen Applications Miniaturlichtschranken Miniature photointerrupters Sensorik (z.B. Handy) Sensor technology (eg mobile phone) Messen/Steuern/Regeln For control and drive circuits 2 Typ Bestellnummer Fotostrom , (E =0,5mW/cm , =950nm V = 5 V) e CE Type Ordering Code Photocurrent Ipce (A) SFH 3010 Q65110A2652 > 25.0 2007-04-02 1SFH 3010 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Betriebs- und Lagertemperatur T T 40 + 100 C op stg Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung V 15 V CE Collector-emitter voltage V (t < 2 min) 30 CE Kollektorstrom I 15 mA C Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s I 75 mA CS Collector surge current Emitter-Kollektorspannung V 7 V EC Emitter-collector voltage Verlustleistung, T = 25 C P 130 mW A tot Total power dissipation Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei R 450 K/W thJA 2 Montage auf FR4 Platine, Padgre je 5 mm Thermal resistance junction - ambient mounted 2 on PC-board (FR4), padsize 5 mm each Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle bei R 250 K/W thJS Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block 2007-04-02 2