B40FD

W E E E S H B40FD ... B380FD B40FD ... B380FD I = 1 A V = 80...800 V FAV RRM V < 1.3 V I = 40/44 A F FSM Fast Recovery SMD Bridge Rectifier Tjmax = 150C trr ~ 300 ns SMD-Brckengleichrichter mit schnellem Sperrverzug Version 2017-02-06 Typical Applications Typische Anwendungen DIL Rectification of medium frequencies Gleichrichtung mittlerer Frequenzen Audio Power Supplies Audio-Stromversorgungen 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) 1.3 Features Besonderheiten 7.5 0.5 UL recognized, File E175067 UL-anerkannt, Liste E175067 0.4 Low reverse recovery time Niedrige Sperrverzugszeit 0.3 8.6 8.5 Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, 1 1 Pb Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) ~ ~ 1 1 Type Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Typ + Packed in tubes/cardboards 50/1000 Verpackt in Stangen/Kartons Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. 5.1 Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL N/A 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Max. alternating input voltage Repetitive peak reverse voltage Typ Max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung 3 4 V V ) V V ) VRMS RRM B40FD 40 80 B80FD 80 160 B125FD 125 250 B250FD 250 600 B380FD 380 800 5 Max. rectified output current R-load 1.0 A ) TA = 50C IFAV 5 Dauergrenzstrom am Brckenausgang C-load 0.8 A ) Repetitive peak forward current 5 f > 15 Hz I 10A ) FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Half sine-wave 50 Hz (10 ms) 40 A I FSM Stostrom in Fluss-Richtung Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) 44 A Rating for fusing 2 2 t < 10 ms i t 8 A s Grenzlastintegral Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Tj -50...+150C Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM Evtl. berlagerte Spannungsspitzen drfen VRRM nicht berschreiten 4 Valid per Diode Gltig pro Diode 2 2 5 Mounted on P.C. Board with 25 mm copper pads Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpads) Diotec Semiconductor AG B40FD ... B380FD Characteristics Kennwerte Forward voltage 1 T = 25C I = 1 A V < 1.3 V ) j F F Durchlass-Spannung Leakage current 1 T = 25C V = V I < 5 A ) j R RRM R Sperrstrom Reverse recovery time I = 0.5 A through/ber F 1 t typ. 300 ns ) rr Sperrverzug I = 1 A to I = 0.25 A R R 1 Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazitt VR = 4 V Cj 25 pF ) Thermal resistance junction to ambient (per device) 2 R < 60 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung (pro Bauteil) Thermal resistance junction to terminal (per device) R < 22 K/W thT Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss (pro Bauteil) Type Recomm. protective resistance Admiss. load capacitor at R t 3) R Typ Empf. Schutzwiderstand Zul. Ladekondensator mit Rt t 3 4 R ) C F ) t L ~ B40FD 2.0 2500 0.005 + B80FD 4.0 1250 0.005 B125FD 6.3 800 0.005 4) ~ C L B250FD 15.0 333 0.005 B380FD 20.0 250 0.005 2 120 10 % A 100 10 80 T = 125C j 60 1 T = 25C j 40 -1 10 20 I F I FAV 40a-(1a-1.3v) -2 10 0 0.4 1.0 1.4 V 0.8 1.2 V 1.8 0 T 50 100 150 C F A 2 Forward characteristics (typical values) Rated forward current versus ambient temperature ) 2 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Valid per Diode Gltig pro Diode 2 2 2 Mounted on P.C. Board with 25 mm copper pads Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpads) 3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded R ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein berschreiten von I verhindert t FSM 4 C = 5 ms / R If the R C time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C can be charged completely in a L t t L L single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only Falls die R C Zeitkonstante kleiner ist als der 50Hz-Netzperiode, kann C innerhalb einer einzigen t L L Netzhalbwelle komplett geladen werden. I tritt dann nur als Einzelpuls auf FSM 2