W E E E S H B40FS ... B380FS B40FS ... B380FS I = 1 A V = 80...800 V FAV RRM V < 1.3 V I = 40/44 A F FSM Fast Recovery SMD Bridge Rectifier Tjmax = 150C trr ~ 300 ns SMD-Brckengleichrichter mit schnellem Sperrverzug Version 2018-07-18 Typical Applications Typische Anwendungen Rectification of medium frequencies Gleichrichtung mittlerer Frequenzen SO-DIL Audio Power Supplies Audio-Stromversorgungen SLIM 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheiten UL recognized, File E175067 UL-anerkannt, Liste E175067 0.4 5.1 7.9 Slim profile package Schlanke Bauhhe 0.4 Low reverse recovery time Niedrige Sperrverzugszeit 10.2 -0.1 8.3 Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) ~ ~ 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Type Typ Taped and reeled 1500 / 13 Gegurtet auf Rolle + -0.3 1.3 Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Max. alternating input voltage Repetitive peak reverse voltage Typ Max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung 3 4 V V ) V V ) VRMS RRM B40FS 40 80 B80FS 80 160 B125FS 125 250 B250FS 250 600 B380FS 380 800 5 Max. rectified output current R-load 1.0 A ) T = 50C I A FAV 5 Dauergrenzstrom am Brckenausgang C-load 0.8 A ) Repetitive peak forward current 5 f > 15 Hz I 10A ) FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Half sine-wave 50 Hz (10 ms) 40 A IFSM Stostrom in Fluss-Richtung Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) 44 A Rating for fusing 2 2 t < 10 ms i t 8 A s Grenzlastintegral Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM Evtl. berlagerte Spannungsspitzen drfen VRRM nicht berschreiten 4 Valid per Diode Gltig pro Diode 2 2 5 Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm copper pads Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm Kupferbelag (Ltpads) Diotec Semiconductor AG B40FS ... B380FS Characteristics Kennwerte Forward voltage 1 T = 25C I = 1 A V < 1.3 V ) j F F Durchlass-Spannung Leakage current 1 T = 25C V = V I < 5 A ) j R RRM R Sperrstrom Reverse recovery time I = 0.5 A through/ber F 1 t typ. 300 ns ) rr Sperrverzug I = 1 A to I = 0.25 A R R 1 Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazitt VR = 4 V Cj 25 pF ) Thermal resistance junction to ambient (per device) 2 R < 60 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung (pro Bauteil) Thermal resistance junction to terminal (per device) R < 22 K/W thT Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss (pro Bauteil) Type Recomm. protective resistance Admiss. load capacitor at R t 3) R Typ Empf. Schutzwiderstand Zul. Ladekondensator mit Rt t 3 4 R ) C F ) t L ~ B40FS 2.0 2500 0.005 + B80FS 4.0 1250 0.005 B125FS 6.3 800 0.005 4) ~ C L B250FS 15.0 333 0.005 B380FS 20.0 250 0.005 2 120 10 % A 100 10 80 T = 125C j T = 25C j 60 1 40 -1 10 20 I F I FAV 125a-(3a-0.95v) -2 0 10 0 T 50 100 150 C 0.4 V 0.8 1.0 1.2 1.4 V 1.8 A F 2 Rated forward current versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values) 2 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Valid per Diode Gltig pro Diode 2 2 2 Mounted on P.C. Board with 25 mm copper pads Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpads) 3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded R ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein berschreiten von I verhindert t FSM 4 C = 5 ms / R If the R C time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C can be charged completely in a L t t L L single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only Falls die R C Zeitkonstante kleiner ist als der 50Hz-Netzperiode, kann C innerhalb einer einzigen t L L Netzhalbwelle komplett geladen werden. I tritt dann nur als Einzelpuls auf FSM 2