W E E E S H BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S I = 200 mA V = 30 V FAV RRM V < 0.24 V I = 600 mA F1 FSM SMD Small Signal Schottky Diodes Tjmax = 150C trr < 5 ns SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden Version 2020-06-17 Typical Applications Typische Anwendungen Signal processing, High-speed Signalverarbeitung, Schnelles SOT-23 switching, Polarity protection Schalten, Verpolschutz (TO-236) Commercial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) +0.1 0.1 1.1 -0.2 2.9 +0.1 Features Besonderheiten 0.4 -0.05 3 Very high switching speed Extrem schnelles Schalten Low junction capacitance Niedrige Sperrschicht-Kapazitt Type Code Low leakage current Niedriger Sperrstrom Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, 1 2 Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 0.1 1.9 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAT54/-Q/-AQ BAT54C/-Q 3 3 Type Type Single Common Code Code Diode Cathode L4 L43 1 2 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 BAT54A/-Q/-AQ BAT54S/-Q/-AQ 3 3 Type Type Common Series Code Code Anode Connection L42 L44 1 2 1 2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) 3 Power dissipation (per device) Verlustleistung (pro Bauteil) T = 25C P 290 mW ) A tot 3 Max. average forward current Dauergrenzstrom DC IFAV 200 mA ) 3 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom I 300 mA ) FRM Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert t 1 s I 600 mA p FSM Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung V 30 V RRM Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur TS -55+150C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C and per diode, unless otherwise specified T = 25C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben A A 2 3 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss Diotec Semiconductor AG BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S Characteristics (T = 25C) Kennwerte (T = 25C) j j Forward voltage I = 0.1 mA < 240 mV F Durchlass-Spannung IF = 1 mA < 320 mV I = 10 mA V < 400 mV F F I = 30 mA < 500 mV F I = 100 mA < 1000 mV F 1 Leakage current Sperrstrom ) V = 25 V I < 2 A R R Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazitt C 10 pF T V = 0 V, f = 1 MHz R Reverse recovery time Sperrverzug trr < 5 ns I = 10 mA ber/through I = 10 mA bis/to I = 1 mA F R R Typical thermal resistance junction to ambient 2 R 400 K/W ) thA Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung 120 % A 100 80 60 40 20 I F P tot 0 0 T 50 100 150 C A 2 Forward characteristics (typical values) Power dissipation versus ambient temperature ) 2 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses t = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen t = 300 s, Schaltverhltnis 2% p p 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2