W E E E S H BC817 ... BC818 BC817 ... BC818 I = 800 mA V = 30...50 V C CES h ~ 160/250/400 P = 310 mW FE tot SMD General Purpose NPN Transistors Tjmax = 150C SMD Universal-NPN-Transistoren Version 2018-10-10 Typical Applications Typische Anwendungen SOT-23 Signal processing, Signalverarbeitung, (TO-236) Switching, Amplification Schalten, Verstrken Commercial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 +0.1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) 0.1 -0.2 1.1 2.9 +0.1 0.4 -0.05 Features Besonderheiten 3 General Purpose Universell anwendbar Type Three current gain groups Drei Stromverstrkungsklassen Code Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 2 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 0.1 1.9 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. 1 = B 2 = E 3 = C Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Recommended complementary PNP transistors Code Empfohlene komplementre PNP-Transistoren BC817-16/-Q = 6A or 6CR BC818-16 = 6E or 6CR BC817-25/-Q/-AQ = 6B or 6CS BC818-25 = 6F or 6CS BC807, BC808 BC817-40/-Q/-AQ = 6C or 6CT BC818-40 = 6G or 6CT 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) BC817 BC818 Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung E-B short V 50 V 30 V CES Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung B open V 45 V 25 V CEO Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5 V 3 Power dissipation Verlustleistung P 310 mW ) tot Collector current Kollektorstrom DC I 800 mA C Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom I 1 A CM Peak Emitter current Emitter-Spitzenstrom - I 1 A EM Peak Base current Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -55+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C, unless otherwise specified TA = 25C, wenn nicht anders angegeben 3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Ltpad je Anschluss Diotec Semiconductor AG BC817 ... BC818 Characteristics Kennwerte T = 25C Min. Typ. Max. j 1 DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis ) Group -16 100 250 V = 1 V, I = 100 mA Group -25 h 160 400 CE C FE Group -40 250 630 V = 1 V, I = 500 mA h 40 CE C FE 2 Collector-Emitter saturation voltage Kollektor-Emitter-Sttigungsspg. ) I = 500 mA, I = 50 mA V 0.7 V C B CEsat 2 Base-Emitter saturation voltage Basis-Emitter-Sttigungsspannung ) IC = 500 mA, IB = 50 mA VBEsat 1.3 V 2 Base-Emitter-voltage Basis-Emitter-Spannung ) VCE = 1 V, IC = 500 mA VBE 1.2 V Collector-Base cutoff current Kollektor-Basis-Reststrom V = 20 V, (E open) 100 nA CB I CB0 VCB = 20 V, Tj = 125C, (E open) 5 A Emitter-Base cutoff current Emitter-Basis-Reststrom VEB = 4 V, (C open) IEB0 100 nA Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz V = 5 V, I = 10 mA, f = 50 MHz f 100 MHz CE C T Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt V = 10 V, I =i = 0, f = 1 MHz C 12 pF CB E e CBO Typical thermal resistance junction to ambient 2 R 420 K/W ) thA Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung 120 % 100 80 60 40 20 P tot 0 0 T 50 100 150 C A 1 Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2