European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 921 S 45 T 62,8 Anode A K Kathode 3,5 VWK JanuarySchnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 921 S 45 T Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage t = -40C...140C V 4500 V vj RRM Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage t = +25C...140C V 4600 V vj RSM Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I 2560 A FRMSM Dauergrenzstrom / mean forward current t = 85C I 1380 A C FAVM t = 52C 1630 A C 1) Stostrom-Grenzwert t = 25C, t = 10 ms, v = 0V I A vj p R FSM 1) surge forward current t = 140C, t = 10 ms, v = 0V 23000 A vj p R Grenzlastintegral t = 25C, t = 10 ms, v = 0V It As vj p R It-value t = 140C, t = 10 ms, v = 0V 2650000 As vj p R Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit I = 3000 A, V = 0,67 V (-di /dt) 500 A/s FM R DRM F com critical repetitive rate of fall of on - state C = 0,3 F, R = /C S S S Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage t = -25C ... +85C V typ. 2600 V c R(D) Durchlaspannung / forward voltage t = 140C, i = 2500 A V max 2,6 V vj F F Schleusenspannung / threshold voltage t = 140C V 1,4 V vj (TO) Ersatzwiderstand / forward slope resistance t = 140C r 0,48 m vj T Sperrstrom / reverse current tvj = 140C, vR = 0,67 VRRM iR mA t = 140C, v = V max. 100 mA vj R RRM Rckstromspitze / peak reverse recovery current i = 1000 A, -di/dt = 250 A/s I max. 800 A FM F RM v = 1000 V D = D291S45T R S C = 0,3 F R = /C S Sperrverzgerungsladung iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/s Qrr 2800 As recovered charge v = 1000 V D = D291S45T R S C = 0,3 F R = /C S Sanftheit i = 1000 A, -di/dt = 250 A/s SR typ. 0,002 As FM F Softness v = 1000 V D = D291S45T R S C = 0,3 F R = /CS Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,0125 K/W Anoden / anode 0,0228 K/W Kathode / cathode 0,0277 K/W bergangs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCK thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,003 K/W einseitig / single-sided max. 0,006 K/W Hchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat. tvjmax 140 C Betriebstemperatur / operating temperature t op -40...+140 C c Lagertemperatur / storage temperature t -40...+150 C stg Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1 Anprekraft /clamping force F 27...45 kN Gewicht / weight G typ. 850 g Luftstrecke / air distance 20 mm Kriechstrecke / creepage distance 30 mm Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)