LOT No.
LOT No.
Ordering number : EN6622C
5LP01SS
P-Channel Small Signal MOSFET
5LP01SS
Electrical Characteristics at Ta=25C
Ratings
Parameter Symbol Conditions Unit
min typ max
Drain to Source Breakdown Voltage V I = --1mA, V =0V --50 V
(BR)DSS D GS
Zero-Gate Voltage Drain Current I V = --50V, V =0V --1 A
DSS DS GS
Gate to Source Leakage Current I V =8V, V =0V 10 A
GSS GS DS
Cutoff Voltage V (off) V = --10V, I = --100 A --0.4 --1.4 V
GS DS D
Forward Transfer Admittance | yfs | V = --10V, I = --40mA 70 100 mS
DS D
R (on)1 I = --40mA, V = --4V 18 23
DS D GS
Static Drain to Source On-State Resistance R (on)2 I = --20mA, V = --2.5V 20 28
DS D GS
R (on)3 I = --5mA, V = --1.5V 30 60
DS D GS
Input Capacitance
Ciss 7.4 pF
Output Capacitance
Coss V = --10V, f=1MHz 4.2 pF
DS
Reverse Transfer Capacitance
Crss 1.3 pF
Turn-ON Delay Time
t (on) 20 ns
d
Rise Time
t 35 ns
r
See speci ed Test Circuit.
Turn-OFF Delay Time
t (off) 160 ns
d
Fall Time
t 150 ns
f
Total Gate Charge Qg 1.40 nC
Gate to Source Charge
Qgs V = --10V, V = --10V, I = --70mA 0.16 nC
DS GS D
Gate to Drain Miller Charge
Qgd 0.23 nC
Diode Forward Voltage V I = --70mA, V =0V --0.85 --1.2 V
SD S GS
Switching Time Test Circuit
V = --25V
DD
V
IN
0V
I = --40mA
D
--4V
R =625
L
V
D V
IN OUT
PW=10 s
D.C.1%
G
5LP01SS
P.G
50
S
I -- V I -- V
D DS D GS
--0.14
--0.07
V = --10V
DS
--0.06
--0.12
--0.05 --0.10
--0.04
--0.08
--0.03
--0.06
V = --1.5V
--0.02 GS
--0.04
--0.01 --0.02
0 0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0 0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Drain to Source Voltage, V -- V IT00090 Gate to Source Voltage, V -- V IT00091
DS GS
No.6622-2/6
--2.0V
--2.5V
--3.0V
--3.5V
--6.0V
--4.0V
75C
25C
Ta= --25C
Drain Current, I -- A
D
Drain Current, I -- A
D