BP 103-3/4 OSRAM

2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 450 ... 1100 nm Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Gehuse: Metall Gehuse (TO-18), hermetisch Epoxy dicht, Harz Special: Base connection Besonderheit: Basisanschluss High linearity Hohe Linearitt Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Computer-controlled flashes Computer-Blitzlichtgerte Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 0.5 mW/cm , V = 5 V e CE I A PCE BP 103 > 80 Q62702P0075 BP 103-3/4 125 ... 400 Q62702P3577 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) 2014-01-14 1Version 1.1 BP 103 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 80 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 35 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I 100 mA C Kollektorstrom Collector surge current I 200 mA CS Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) Emitter-base voltage V 7V EB Emitter-Basis-Spannung Emitter-collector voltage V 7V EC Emitter-Kollektor-Spannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Thermal resistance R 500 K / W thJA Wrmewiderstand Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity 850 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 450 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A0.11 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of chip area L x W 0.55 x 0.55 mm x Abmessung der Chipflche mm Half angle 55 Halbwinkel Photocurrent of collector-base photodiode I 1 A PCB Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode 2 ( = 950 nm, E = 0.5 mW/cm , V = 5 V) e CE 2014-01-14 2