2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX 82 ... BPX 89 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 450 ... 1100 nm Package: Miniature Array, Epoxy Gehuse: Miniatur Array, Harz Special: Multiple-digit array package Besonderheit: Mehrstellige Zeilenbauform High linearity Hohe Linearitt Available in groups Gruppiert lieferbar Applications Anwendungen Miniature photointerrupters Miniatur Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 2014-01-14 1Version 1.1 BPX 80, BPX 82 ... BPX 89 Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 0.5 mW/cm , V = 5 V e CE I A PCE BPX 82 > 320 Q62702P0021 BPX 83 > 320 Q62702P0025 BPX 84 > 320 Q62702P0030 BPX 85 > 320 Q62702P0031 BPX 86 > 320 Q62702P0022 BPX 87 > 320 Q62702P0032 BPX 88 > 320 Q62702P0033 BPX 89 > 320 Q62702P0026 BPX 80 > 320 Q62702P0028 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 80 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 35 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I 50 mA C Kollektorstrom Collector surge current I 200 mA CS Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) 2014-01-14 2