2015-08-21 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 400 ... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 400 ... 1100 nm Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed Gehuse: Metall Gehuse (TO-18), hermetisch dicht Special: Base connection Besonderheit: Basisanschluss Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C HIgh photosensitivity Hohe Fotoempfindlichkeit Available in groups Gruppiert lieferbar Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 0.5 mW/cm , e V = 5 V CE I A PCE BPY 62 500 Q60215Y0062 BPY 62-3/4 800 ... 2500 Q62702P5198 BPY 62-4 1250 ... 2500 Q60215Y1113 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) 2015-08-21 1Version 1.2 BPY 62 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 125 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 35 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I 100 mA C Kollektorstrom Collector surge current I 200 mA CS Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) Emitter-collector voltage V 7 V EC Emitter-Kollektor-Spannung Total power dissipation P 200 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity (typ) 830 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity (typ) (typ) 400 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit ... 1100 2 Radiant sensitive area (typ) A 0.11 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of chip area (typ) L x W (typ) 0.55 x mm x Abmessung der Chipflche 0.55 mm Half angle (typ) 8 Halbwinkel Photocurrent of collector-base photodiode (typ) I 5.5 A PCB Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode 2 ( = 950 nm, E = 0.5 mW/cm , V = 5 V) e CB Photocurrent of collector-base photodiode (typ) I 17 A PCB Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode (E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V) V CB Capacitance (typ) C 7.5 pF CE Kapazitt (V = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CE 2015-08-21 2