2011-10-14 Silicon Photodiode with V Characteristic Silizium-Fotodiode mit V Charakteristik Version 1.0 SFH 2430 Features: Besondere Merkmale: Spectral sensitivity adapted to Human Eye Spektrale Empfindlichkeit angepasst an die Sensitivity (V ) Augenempfindlichkeit (V ) Low temperature coefficient of spectral sensitivity Niedriger Temperaturkoeffizient der Fotoempfindlichkeit high linearity Gute Linearitt DIL plastic package with high packing density DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Applications Anwendungen Ambient light sensor (Mobile phone, rain sensor, Umgebungslichtsensor (Handy, Regensensor, regulation of air conditioning) Klimaanlagensteuerung) Ordering Information Bestellinformation Type: Ordering Code Typ: Bestellnummer SFH 2430 Q65110A2673 2011-10-14 1Version 1.0 SFH 2430 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 6V R Sperrspannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity S6.3 ( 5) nA/Ix Fotoempfindlichkeit (V = 5 V, standard light A, T = 2856 K) R Wavelength of max. sensitivity 570 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 400 ... 900 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A7.02 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.65 x 2.65 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 0.1 ( 5) nA R Dunkelstrom (V = 5 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.17 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 550 nm) Quantum yield of the chip 0.38 Electro Quantenausbeute des Chips ns ( = 550 nm) /Photon 2011-10-14 2