SFH 3711

2012-08-17 Silicon NPN Phototransistor with V Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V Charakteristik Version 1.0 SFH 3711 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 470 ... 670 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 470 ... 670 nm Very small SMT package Sehr kleines SMT Gehuse Good match to human eye sensitivity (V ) Gut angepasst an Augenempfindlichkeit (V ) Sensitivity to IR radiation ( >750nm) <1% Empfindlichkeit im IR Bereich ( >750nm) <1% Applications Anwendungen Ambient light detector Umgebungslichtsensor Exposure meter for daylight and artificial light Beleuchtungssensor Sensor for backlight-dimming Dimmungssensor fr Hintergrundbeleuchtung For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E = 1000 lx, (white LED), V = 5 V v CE I A PCE SFH 3711 16 ... 80 Q65111A2362 SFH 3711 - 1/2 16 ... 50 Q65111A3534 SFH 3711 - 2/3 25 ... 80 Q65111A3533 2012-08-17 1Version 1.0 SFH 3711 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 85 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 5.5 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I 20 mA C Kollektorstrom Emitter-collector voltage V 0.5 V EC Emitter-Kollektor-Spannung Characteristics (T = 25 C, = 950 nm) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity 570 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 470 ... 670 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Light source dependency of the photocurrent typ. 0.98 rel. Abhngigkeit Photostrom von der Lichtquelle ( I PCE (standard light A)/ I (white LED), 1000lx) PCE 2 Radiant sensitive area A0.29 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of chip area L x W 0.75 x 0.75 mm x Abmessung der Chipflche mm Half angle 60 Halbwinkel Capacitance C 4pF CE Kapazitt (V = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CE Dark current I 3 ( 50) nA CE0 Dunkelstrom (V = 5 V, E = 0) CE 2012-08-17 2