2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: Radiation without IR in the visible red range Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil Cathode is electrically connected to the case Kathode galvanisch mit dem Gehuseboden verbunden High reliability Hohe Zuverlssigkeit Short switching times Kurze Schaltzeiten Same package as BP 103, LD 242 Gehusegleich mit BP 103, LD 242 DIN humidity category in acc. with DIN 40 040 GQG Anwendungsklassen nach DIN 40 040 GQG Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Fiber optic transmission LWL Sensor technology Sensorik Light curtains Lichtgitter Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-01-16 1Version 1.1 SFH 464 E7800 Ordering Information Bestellinformation 1) page 9 Type: Radiant Intensity Ordering Code 1) Seite 9 Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 50 mA, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 464 E7800 1.5 ( 1) Q62702P1745 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 80 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 3V R Sperrspannung Forward current I 50 mA F Durchlassstrom Surge current I 1A FSM Stostrom (t 10 s, D = 0) p Total power dissipation P 140 mW tot Verlustleistung Thermal resistance junction - ambient R 450 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung Thermal resistance junction - case R 160 K / W thJC Wrmewiderstand Sperrschicht - Gehuse ESD withstand voltage V 2kV ESD ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) 2014-01-16 2