European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 721 S C 3,5 A 0,1 - 48 -0,2 75 Applikation: Freilaufdiode in Spannungszwischenkreisumrichter bis V = 2000 V D(DC) VWK JanuarySchnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 721 S 45 T Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung 3500 V, 4000V repetitive peak reverse voltage t = -40C...125C V 4500 V vj RRM Stospitzensperrspannung 3600 V, 4100V non-repetitive peak reverse voltage t = +25C...125C V 4600 V vj RSM Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I 1700 A FRMSM Dauergrenzstrom / mean forward current t = 85C I 720 A C FAVM t = 52C 1080 A C 1) Stostrom-Grenzwert t = 25C I 16000 A vj FSM 1) surge forward current t = 125C 15000 A vj 6 Grenzlastintegral t = 25C It 1,3x10 As vj 6 It-value t = 125C 1,13x10 As vj Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit t = 125C, I = 2000 A, V = 3000 V (-di/dt) 500 A/s vj FM R com critical repetitive rate of fall of on - state C = 0,25 F, R = 6 Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage t = -40C ... +85C V typ. 2000 V c R(D) Durchlaspannung / forward voltage t = 125C i = 2500 A V 3,5 V vj FM F Schleusenspannung / threshold voltage t = 125C V 1,7 V vj (TO) Ersatzwiderstand / forward slope resistance t = 125C r 0,69 m vj T Sperrstrom / reverse current tvj = 125C, vR = 0,67 VRRM iR ca. 75 mA 1) t = 125C, v = V 140 mA vj R RRM Rckstromspitze / peak reverse recovery current i = 1000 A, -di/dt = 250 A/s I 600 A FM F RM t = 125 C v = 1000 V vj R C = 0,25 F R = 6 Sperrverzgerungsladung iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/s Qrr 1700 As recovered charge t = 125 C v = 1000 V vj R C = 0,25 F R = 6 Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface RthJC thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,018 K/W Anoden / anode 0,033 K/W Kathode / cathode 0,04 K/W bergangs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCK thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided 0,005 K/W einseitig / single-sided 0,01 K/W Hchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat. t max 125 C vj Betriebstemperatur / operating temperature t op -40...+125 C c Lagertemperatur / storage temperature t -40...+150 C stg Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1 Anprekraft /clamping force F 15...36 kN Gewicht / weight G ca. 600 g Luftstrecke / air distance ca. 20 mm Kriechstrecke / creepage distance 30 mm Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)