Q62702P0033 OSRAM

NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 89 Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich Especially suitable for applications from von 450 nm bis 1100 nm 450 nm to 1100 nm Hohe Linearitt High linearity Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy Multiple-digit array package of transparent epoxy Anwendungen Applications Miniaturlichtschranken Miniature photointerrupters Industrieelektronik Industrial electronics Messen/Steuern/Regeln For control and drive circuits 2 Typ Bestellnummer Fotostrom , E = 0.5 mW/cm , = 950 nm, V = 5 V e CE Type Ordering Code Photocurrent I (mA) PCE BPX 82 Q62702P0021 > 0.32 BPX 83 Q62702P0025 > 0.32 BPX 84 Q62702P0030 > 0.32 BPX 85 Q62702P0031 > 0.32 BPX 86 Q62702P0022 > 0.32 BPX 87 Q62702P0032 > 0.32 BPX 88 Q62702P0033 > 0.32 BPX 89 Q62702P0026 > 0.32 BPX 80 Q62702P0028 > 0.32 2011-05-27 1 BPX 80, BPX 82 89 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Betriebs- und Lagertemperatur T T 40 + 80 C op stg Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung V 35 V CE Collector-emitter voltage Kollektorstrom I 50 mA C Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s I 200 mA CS Collector surge current Verlustleistung, T = 25 C P 90 mW A tot Total power dissipation Wrmewiderstand R 750 K/W thJA Thermal resistance 2011-05-27 2