AL1G Diotec

W E E E S H AL1A ... AL1M AL1A ... AL1M I = 1 A V = 50...1000 V FAV RRM V < 1.2 V I = 27/30 A F1 FSM Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes trr ~ 1500 ns ERSM = 20 mJ Standard Avalanche SMD-Gleichrichterdioden Version 2017-05-29 Typical Applications Typische Anwendungen 50/60 Hz Mains Rectification, 50/60 Hz Netzgleichrichtung, ~ DO-213AA Power Supplies, Polarity Protection Stromversorgungen, Verpolschutz Plastic MiniMELF 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheiten Controlled avalanche characteristic Controlled Avalanche Charakteristik Package compatible to SOD-87 Gehuse kompatibel zu SOD-87 High power dissipation Hohe Leistungsfhigkeit Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 2500 / 7 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen Dimensions - Mae mm MSL = 1 Marking: 1. white ring denotes cathode and standard rectifier family 2. colored ring denotes repetitive peak reverse voltage (see below) Kennzeichnung: 1. weier Ring kennzeichnet Kathode und Standard-Gleichrichter 2. farbiger Ring kennzeichnet Periodische Spitzensperrspannung (siehe unten) 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Repetitive peak reverse voltage Reverse avalanche breakdown voltage 2. Cathode ring Typ Periodische Spitzensperrspannung Sperrspannung im Durchbruch 2. Kathodenring V V V V I = 1 mA RRM RSM RSM AL1A 50 > 75 gray / grau AL1B 100 > 150 red / rot AL1D 200 > 250 orange / orange AL1G 400 > 450 yellow / gelb AL1J 600 > 650 green / grn AL1K 800 > 850 blue / blau AL1M 1000 > 1100 violet / violett 3 Max. average forward current Dauergrenzstrom T = 75C I 1 A ) A FAV Peak forward surge current Half sine-wave 50 Hz (10 ms) 27 A I FSM Stostrom in Fluss-Richtung Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) 30 A 2 2 Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i t 3.6 A s Non-repetitive peak reverse avalanche energy IRSM = 1 mA ERSM 20 mJ Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+175C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+175C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 2 2 3 Mounted on P.C. board with 25 mm copper pads per terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Ltpad je Anschluss Diotec Semiconductor AG AL1A ... AL1M Characteristics Kennwerte Forward voltage AL1A...G < 1.2 V T = 25C I = 1 A V j F F Durchlass-Spannung AL1J...M < 1.3 V Leakage current T = 25C V = V I < 3 A j R RRM R Sperrstrom T = 125C V = V < 50 A j R RRM Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazitt V = 4 V C 4 pF R j Typical reverse recovery time I = 0.5 A through/ber F t typ. 1500 ns rr Typische Sperrverzugszeit IR = 1 A to IR = 0.25 A Thermal resistance junction to ambient 1 R < 75 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Thermal resistance junction to terminal R < 40 K/W thT Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss 2 120 10 % A 100 T = 125C j 10 80 T = 25C j 1 60 40 -1 10 20 I F I FAV 30a-(1a-1.2v) -2 10 0 0.4 1.0 1.4 V 0.8 1.2 V 1.8 0 T 50 100 150 C F A 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 1 Mounted on P.C. board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2