RAL1A

W E E E S H RAL1A ... RAL1M RAL1A ... RAL1M I = 1 A V = 50...1000 V FAV RRM V < 1.3 V I = 22/25 A F FSM Fast Avalanche SMD Rectifier Diodes trr < 150...500 ns ERSM = 20 mJ Schnelle Avalanche SMD-Gleichrichterdioden Version 2017-05-29 Typical Applications Typische Anwendungen Rectification of medium frequencies, Gleichrichtung mittlerer Frequenzen ~ DO-213AA Snubber or Bootstrap diodes Beschaltungs- oder Bootstrapdioden Plastic MiniMELF 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheiten Controlled avalanche characteristic Controlled Avalanche Charakteristik Package compatible to SOD-87 Gehuse kompatibel zu SOD-87 High power dissipation Hohe Leistungsfhigkeit Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 2500 / 7 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen Dimensions - Mae mm MSL = 1 Marking: 1. red ring denotes cathode and fast switching rectifier family 2. colored ring denotes repetitive peak reverse voltage (see below) Kennzeichnung: 1. roter Ring kennzeichnet Kathode und schnelle Gleichrichter 2. farbiger Ring kennzeichnet Periodische Spitzensperrspannung (siehe unten) 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Repetitive peak reverse voltage Reverse avalanche breakdown voltage 2. Cathode ring Typ Periodische Spitzensperrspannung Sperrspannung im Durchbruch 2. Kathodenring V V V V I = 1 mA RRM RSM RSM RAL1A 50 > 75 grey / grau RAL1B 100 > 150 red / rot RAL1D 200 > 250 orange / orange RAL1G 400 > 450 yellow / gelb RAL1J 600 > 650 green / grn RAL1K 800 > 850 blue / blau RAL1M 1000 > 1100 violet / violett 3 Max. average forward current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung T = 75C I 1 A ) A FAV Peak forward surge current Half sine-wave 50 Hz (10 ms) 22 A I FSM Stostrom in Fluss-Richtung Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) 25 A Rating for fusing 2 2 t < 10 ms i t 2.5 A s Grenzlastintegral Non-repetitive peak reverse avalanche energy I = 1 mA E 20 mJ RSM RSM Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+175C j Storage temperature Lagerungstemperatur TS -50...+175C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 2 3 Mounted on P.C. board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss Diotec Semiconductor AG RAL1A ... RAL1M Characteristics Kennwerte Forward voltage T = 25C I = 1 A V < 1.3 V j F F Durchlass-Spannung Leakage current T = 25C < 3 A j V = V I R RRM R Sperrstrom T = 125C < 50 A j Typical junction capacitance V = 4 V C 4 pF R j Typische Sperrschichtkapazitt RAL1A...G < 150 ns Reverse recovery time I = 0.5 A through/ber F RAL1J t < 250 ns rr Sperrverzugszeit I = 1 A to I = 0.25 A R R RAL1K...M < 500 ns 1 Thermal resistance junction to ambient air R < 75 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal RthT < 40 K/W Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss 10 120 % A T = 125C 100 j 1 80 T = 25C j -1 60 10 40 -2 10 20 I F I FAV 10a-(0.5a-1.2v) -3 0 10 0.4 V 0.8 1.0 1.2 1.4 V 1.8 0 T 50 100 150 C F A 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 1 Mounted on P.C. board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2