US3B Diotec

W E E E S H US3A ... US3M US3A ... US3M I = 3.0 A V = 50...1000 V FAV RRM V < 1.0 V I = 100 A F1 FSM Ultrafast Recovery SMD Rectifier Diodes Tjmax = 150C trr < 50...75 ns SMD-Gleichrichterdioden mit ultraschnellem Sperrverzug Version 2015-10-26 Typical Applications Typische Anwendungen ~ SMC / ~ DO-214AB Rectification of higher frequencies, Gleichrichtung hoher Frequenzen 0.2 High speed switching Schnelles Schalten 7.9 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheiten V up to 1000 V V bis zu 1000 V RRM RRM 1.2 0.15 Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Type Typ Taped and reeled 3000 / 13 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.21 g Gewicht ca. 0.5 7.2 Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen Dimensions - Mae mm MSL = 1 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage Typ Periodische Spitzensperrspannung Stospitzensperrspannung V V V V RRM RSM US3A 50 50 US3B 100 100 US3D 200 200 US3G 400 400 US3J 600 600 US3K 800 800 US3M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load T = 100C I 3 A T FAV Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last 3 Repetitive peak forward current f > 15 Hz I 15 A ) FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T = 25C I 100 A A FSM Stostrom fr eine 50 Hz Sinus-Halbwelle 2 2 Rating for fusing, t < 10 ms TA = 25C i t 50 A s Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben j j 3 Max. temperature of the terminals TT = 100C Max. Temperatur der Anschlsse TT = 100C Diotec Semiconductor AG US3A ... US3M Characteristics Kennwerte Type Reverse recovery time Forward voltage Typ Sperrverzugszeit Durchlass-Spannung 1 t ns ) V V at / bei I A rr F F US3A...US3D < 50 < 1.0 3 US3G < 50 < 1.25 3 US3J...US3M < 75 < 1.7 3 Leakage current T = 25C V = V I < 5 A j R RRM R Sperrstrom T = 100C V = V I < 300 A j R RRM R Typical junction capacitance V = 4 V C 20 pF R j Typische Sperrschichtkapzitt 2 Thermal resistance junction to ambient air RthA < 40 K/W ) Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal R < 10 K/W thL Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss 10 120 % A 100 US3A...D 1 US3G 80 US3J...M 60 0.1 40 -2 10 20 I F I FAV T = 25C j -3 10 0 V V 0 T 50 100 150 C F T Rated forward current vs. temp. of the terminals Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 I = 0.5 A through/ber I = 1 A to/auf I = 0.25 A F R R 2 2 Mounted on P.C. board with 50 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 50 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2