D291S45T Infineon

European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 291 S +0, 3,5 C 0,2 deepth = 4 on both A Applikation: Beschaltungsdiode zu GTO - Vorrichtungen Application: Snubberdiode at GTO - Inverter VWK JanuarySchnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 291 S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung 3500V, 4000V repetitive peak reverse voltage t = -40C...140C V 4500 V vj RRM Stospitzensperrspannung 3600V, 4100 non-repetitive peak reverse voltage t = +25C...140C V 4600 V vj RSM Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I 700 A FRMSM Dauergrenzstrom / mean forward current t = 85C I 290 A C FAVM t = 51C 445 A C 1) Stostrom-Grenzwert t = 25C I 5200 A vj FSM 1) surge forward current t = 125C 4500 A vj Grenzlastintegral t = 25C It 135000 vj It-value t = 125C 100000 As vj Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit t = 125C, I = 3000 A, V = 1600 V (-di/dt) vj FM RM com critical repetitive rate of fall of on - state C = 0,125 F, R = 6 700 A/s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung / forward voltage t = 125C i = 1200 A V 4,15 V vj FM F Schleusenspannung / threshold voltage t = 125c V 1,9 V vj (TO) Ersatzwiderstand / forward slope resistance t = 125C r 1,76 m vj T Sperrstrom / reverse current t = 125C, v = 0,67 V i ca. 30 mA vj R RRM R tvj = 125C, vR = VRRM 50 mA Rckstromspitze / peak reverse recovery current i = 1000 A, -di/dt = 250 A/s I 500 A FM F RM t = 125C v = 1000 V vj R(Spr) C = 0,125 F R = 6 Sperrverzgerungsladung i = 1000 A, -di/dt = 250 A/s Q 950 As FM F rr recovered charge tvj = 125C vR(Spr) = 1000 V C = 0,125 F R = 6 Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,04 K/W einseitig / single-sided 0,08 K/W bergangs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCK thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided 0,006 K/W einseitig / single-sided 0,012 K/W Hchstzulssige Sperrschichttemp. / max. junction temperat. tvjmax 125 C Betriebstemperatur / operating temperature t op -40...+125 C c Lagertemperatur / storage temperature t -40...+150 C stg Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1 Anprekraft /clamping force F 9...13 kN Gewicht / weight G ca. 250 g Luftstrecke / air distance 20 mm Kriechstrecke / creepage distance 30 mm Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.