W E E E S H BC807 ... BC808 BC807 ... BC808 I = -800 mA V = -30 ...-50 V C CES h ~ 160/250/400 P = 310 mW FE tot SMD General Purpose PNP Transistors Tjmax = 150C SMD Universal-PNP-Transistoren Version 2017-01-19 Typical Applications Typische Anwendungen SOT-23 Signal processing, Signalverarbeitung, (TO-236) Switching, Amplification Schalten, Verstrken 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) +0.1 0.1 1.1 -0.2 2.9 Features Besonderheiten +0.1 General Purpose Universell anwendbar 0.4 -0.05 3 Three current gain groups Drei Stromverstrkungsklassen Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Type 1 1 Pb Conflict Minerals ) Konfliktmineralien Code 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) 1 2 Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle 0.1 1.9 Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. 1 = B 2 = E 3 = C Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Recommended complementary NPN transistors Code Empfohlene komplementre NPN-Transistoren BC807-16 = 5A or 5CR BC808-16 = 5E or 5CR BC807-25 = 5B or 5CS BC808-25 = 5F or 5CS BC817, BC818 BC807-40 = 5C or 5CT BC808-40 = 5G or 5CT 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) BC807 BC808 Collector-Emitter-volt. Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - V 50 V 30 V CES Collector-Emitter-volt. Kollektor-Emitter-Spannung B open - V 45 V 25 V CEO Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open - V 5 V EBO 3 Power dissipation Verlustleistung P 310 mW ) tot Collector current Kollektorstrom (dc) - IC 800 mA Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom - I 1 A CM Peak Base current Basis-Spitzenstrom - I 200 mA BM Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -55+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C, unless otherwise specified TA = 25C, wenn nicht anders angegeben 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gltig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Diotec Semiconductor AG BC807 ... BC808 Characteristics Kennwerte T = 25C Min. Typ. Max. j 1 DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis ) Group -16 100 250 - V = 1 V, - I = 100 mA Group -25 h 160 400 CE C FE Group -40 250 630 - V = 1 V, - I = 500 mA h 40 CE C FE 2 Collector-Emitter saturation voltage Kollektor-Emitter-Sttigungsspg. ) - I = 500 mA, - I = 50 mA - V 0.7 V C B CEsat 2 Base-Emitter saturation voltage Basis-Emitter-Sttigungsspannung ) - IC = 500 mA, - IB = 50 mA - VBEsat 1.3 V 2 Base-Emitter-voltage Basis-Emitter-Spannung ) - VCE = 1 V, - IC = 500 mA - VBE 1.2 V Collector-Base cutoff current Kollektor-Basis-Reststrom - V = 20 V, (E open) 100 nA CB - I CB0 - VCB = 20 V, Tj = 125C, (E open) 5 A Emitter-Base cutoff current Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 4 V, (C open) - IEB0 100 nA Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz - V = 5 V, - I = 10 mA, f = 50 MHz f 100 MHz CE C T Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt - V = 10 V, - I =i = 0, f = 1 MHz C 12 pF CB E e CBO Thermal resistance junction to ambient 2 R < 420 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung 120 % 100 80 60 40 20 P tot 0 0 T 50 100 150 C A 1 Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2