BY1800 Diotec

BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-10-01 Nominal Current 3 A Nennstrom +0.1 Repetitive peak reverse voltage 200...2000 V 4.5-0.3 Periodische Spitzensperrspannung Plastic case ~ DO-201 Kunststoffgehuse Weight approx. 0.8 g Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 0.05 1.2 Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Dimensions - Mae mm Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage Typ Periodische Spitzensperrspannung Stospitzensperrspannung V V V V RRM RSM BY251 200 200 BY252 400 400 BY253 600 600 BY254 800 800 BY255 1300 1300 BY1600 1600 1600 BY1800 1800 1800 BY2000 2000 2000 higher voltages see hhere Spannungen siehe BY4...BY16 4000...16000 4000...16000 1 Max. average forward rectified current, R-load T = 50C I 3 A ) A FAV Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last 1 Repetitive peak forward current f > 15 Hz I 20 A ) FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave T = 25C I 100/110 A A FSM Stostrom fr eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle 2 2 Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms T = 25C i t 50 A s A Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+175C S 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gltig, wenn die Anschlussdrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Diotec Semiconductor AG BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung T = 25C I = 3 A V < 1.1 V j F F Leakage current Sperrstrom T = 25C V = V I < 5 A j R RRM R 1 Thermal resistance junction to ambient air R < 25 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft 2 Thermal resistance junction to leads R < 10 K/W ) thL Wrmewiderstand Sperrschicht Anschlussdraht 2 120 10 % A 100 T = 125C j 10 80 T = 25C j 60 1 40 -1 10 20 I F I FAV 100a-(3a-1.1v) -2 10 0 0.4 V 0.8 1.0 1.2 1.4 V 1.8 0 T 50 100 150 C F A Rated forward current versus ambient temperature Forward characteristics (typical values) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 10 A 10 F 1 2 3 1 10 10 n 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchla-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gltig, wenn die Anschlussdrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 Measured in 3 mm distance from case use for bypass diodes test Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehuse zu verwenden fr Bypass-Diodentest 2