Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode U Fast Diode D 170 U 25 Elektrische Eigenschften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values T = - 25C...T Periodische Spitzensperrspannung vj vj max V 2500 V RRM repetitive peak forward reverse voltage T = + 25C...T Stospitzensperrspannung vj vj max V 2600 V RSM non-repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 330 A FRMSM RMS forward current T =64C Dauergrenzstrom C I 170 A FAVM T =38C mean forward current C 210 A T = 25C, tp = 10 ms Stostrom-Grenzwert vj I 3700 A FSM T = T , tp = 10 ms surge foward current vj vj max 3150 A T = 25C, tp = 10ms Grenzlastintegral vj It 68450 As T = T , tp = 10ms It-value vj vj max 49600 As Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 650 A v max. 2,15 V vj vj max F F forward voltage Schleusenspannung T = T V 1,1 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 1,5 vj vj max T forward slope resistance 1) V Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung IEC 747-2 V 48 FRM peak value of forward recovery voltage T = T vj vj max di /dt=200A/s, v =0V F R 1) s Durchlaverzgerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t max. 2,2 fr forward recovery time T = T i =di /dt*tfr vj vj max, FM F di /dt=200A/s, v =0V F R Sperrstrom T = 25C, v =V i max. 5 mA vj R RRM R reverse current T = T , v = V max. 70 mA vj vj max R RRM 1) A Rckstromspitze DIN IEC 747-2, T =T I 340 vj vj max RM peak reverse recovery current i =500A,-di /dt=200A/s FM F v <=0,5 V , v =0,8 V R RRM RM RRM 1) As Sperrverzgerungsladung DIN IEC 747-2, T =T Q 870 vj vj max r recovered charge i =500 A,-di /dt=200A/s FM F v <=0,5 V , v =0,8 V R RRM RM RRM 1) s Sperrverzgerungszeit DIN IEC 747-2, T =T t 4 vj vj max rr reverse recovered time i =500A,-di /dt=200A/s FM F v <=0,5 V , v =0,8 V R RRM RM RRM 2) DIN IEC 747-2, T =T s/A Sanftheit SR 0,004 vj vj max Softness i =500A,-di /dt=200A/s FM F v <=0,5 V , v =0,8 V R RRM RM RRM 1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value) SZ-M / 4 Feb 1993 , R. Jrke A 2 / 93 Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode U D 170 U 25 Fast Diode Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC Kathode / cathode, =180sin thermal resitance, junction to case max. 0,26 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,25 C/W bergangs- Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCK thermal resitance, case to heatsink einseitig / single-sided max. 0,04 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T 140 C vj max max. junction temperature Betriebstemperatur T -40...+140 C c op operating temperature Lagertemperatur T -40...+150 C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 23mm Si-pellet with pressure contact Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung M 20 Nm mounting torque Gewicht G typ. 110 g weight Kriechstrecke 12 mm creepage distance Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s vibration resistance Khlkrper / heatsinks: K1,1-M12-A K0,55-M12-A GK-M12-A Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 4 Feb 1993 , R. Jrke A 2 / 93 Seite/page 2